技术：可在纸张和pet上“印刷”多晶硅-顶级国际娱乐手机网站

 　　荷兰代尔夫特理工大学（delft university of technology）与日本北陆先端科学技术大学院大学于2015年4月21日宣布，开发出了在纸上“印刷”多晶硅层的技术，相关论文发表在了学术期刊《应用物理快报》（applied physics letters）上。

　　利用这项技术制作的tft的载流子迁移率最大为23.5cm2/vs。目前，柔性电子电路用半导体材料的主流是有机半导体和氧化物半导体，不过多晶硅也一直在参与竞争。
  　　此次开发的印刷方法是：（1）在没有氧气和水分的环境下，将“硅墨水”涂布到加热至80℃的基板上，硅墨水是将环戊硅烷（cps，氢键合在硅的5节环上而形成）溶解在溶剂中制成的；（2）在温度为100℃的环境下，照射波长为365nm的紫外线（uv），然后使cps聚合形成聚硅烷；（3）向聚硅烷层照射数十纳米的准分子激光，变成多晶硅。据介绍，在上述过程之后，包括tft形成过程在内的工艺温度不会超过150℃。
  　　在按照这种方法制作的tft中，只照射一次较高能量激光制作的nmos的载流子迁移率为2.6cm2/vs、pmos的载流子迁移率为3.9cm2/vs。通过反复照射多次较弱激光制成的nmos的载流子迁移率为21.0cm2/vs，pmos的载流子迁移率为23.5cm2/vs。通过一次照射制作的nmos和pmos的电流导通截止比在104以上，而通过多次照射制作的nmos和pmos的电流导通截止比则较低，分别在103、102以上。
  　　北陆先端科学技术大学院大学很早就开始研究利用基于cps的硅墨水制作电子电路的技术，并开发出了多晶硅tft和非晶硅太阳能电池等产品。不过，此前的工艺温度高达350～400℃，无法利用pet等树脂基板。此次的工艺温度在150℃以下，因此可以利用更多的柔性基板。